STF13N80K5 Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-pinli (3+Tab) TO-220FP trubkasi

qisqa Tasvir:

STF13N80K5 quvvat MOSFETde maksimal quvvat sarfi 35 000 mVt.Qismlarning ommaviy qadoqlash orqali shikastlanmasligini ta'minlash uchun u quvurli qadoqdan foydalanadi, bu esa bo'sh qismlarni tashqi quvurlarda saqlash orqali biroz himoya qiladi.Transistor turli xil elektron signallarni osongina va tez almashtirishi mumkin.Qurilma super mesh texnologiyasini qabul qiladi.MOSFET tranzistori -55 ° C dan 150 ° C gacha bo'lgan harorat oralig'ida ishlaydi.

Bizga elektron pochta xabarini yuboring Sana jadvalini yuklab oling

Mahsulot detali

Mahsulot teglari

Mahsulot atributlari

Evropa Ittifoqi RoHS	Imtiyozga muvofiq
ECCN (AQSh)	EAR99
Qism holati	Faol
HTS	8541.29.00.95
SVHC	Ha
SVHC chegaradan oshib ketdi	Ha
Avtomobilsozlik	No
PPAP	No
Mahsulot toifasi	MOSFET quvvati
Konfiguratsiya	Yagona
Jarayon texnologiyasi	SuperMESH
Kanal rejimi	Yaxshilash
Kanal turi	N
Chipdagi elementlar soni	1
Drenaj manbasining maksimal kuchlanishi (V)	800
Eshik manbasining maksimal kuchlanishi (V)	±30
Eshik chegarasining maksimal kuchlanishi (V)	5
Ishlash nuqtasi harorati (°C)	-55 dan 150 gacha
Maksimal uzluksiz drenaj oqimi (A)	12
Eshik manbasining maksimal qochqin oqimi (nA)	10000
Maksimal IDSS (uA)	1
Drenaj manbasining maksimal qarshiligi (mOhm)	450@10V
Odatda eshik zaryadi @ Vgs (nC)	27@10V
Odatda eshik zaryadi @ 10V (nC)	27
Odatda kirish sig'imi @ Vds (pF)	870@100V
Maksimal quvvat sarfi (mVt)	35000
Odatda kuz vaqti (ns)	16
Odatda ko'tarilish vaqti (ns)	16
Oddiy o'chirishni kechiktirish vaqti (ns)	42
Odatdagi kechikish vaqti (ns)	16
Minimal ish harorati (°C)	-55
Maksimal ish harorati (°C)	150
Yetkazib beruvchining harorat darajasi	Sanoat
Qadoqlash	Quvur
Maksimal musbat eshik manba kuchlanishi (V)	30
Maksimal diod kuchlanishi (V)	1.5
O'rnatish	Teshik orqali
Paket balandligi	16,4 (maksimal)
Paket kengligi	4,6 (maksimal)
Paket uzunligi	10,4 (maksimal)
PCB o'zgartirildi	3
Tab	Tab
Standart paket nomi	TO
Yetkazib beruvchi paketi	TO-220FP
Pin soni	3
Qo'rg'oshin shakli	Teshik orqali

kirish

Dala effekti trubkasi - buelektron qurilmaelektron zanjirdagi oqimni boshqarish va tartibga solish uchun ishlatiladi.Bu juda yuqori oqimga ega bo'lgan kichik triod.Fets elektron sxemalarda keng qo'llanilgan, masalanquvvat kuchaytirgichi, kuchaytirgich sxemasi, filtr sxemasi,kommutatsiya davriva hokazo.

Dala effekti trubasining printsipi - bu dala effekti bo'lib, u ba'zi yarim o'tkazgich materiallariga, masalan, kremniyga tegishli bo'lgan elektr hodisasi bo'lib, qo'llaniladigan elektr maydoni qo'llanilgandan so'ng, uning elektronlarining faolligi sezilarli darajada yaxshilanadi va shu bilan uning o'tkazuvchanligini o'zgartiradi. xususiyatlari.Shuning uchun, agar elektrc maydoni yarimo'tkazgich materialining yuzasiga qo'llaniladi, uning o'tkazuvchanlik xususiyatlarini nazorat qilish mumkin, shuning uchun oqimni tartibga solish maqsadiga erishish mumkin.

Fets N tipidagi homila va P tipidagi Fetsga bo'linadi.N-tipli Fets yuqori to'g'ridan-to'g'ri o'tkazuvchanlik va past teskari o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan N tipidagi yarimo'tkazgich materiallaridan tayyorlanadi.P-tipli Fets yuqori teskari o'tkazuvchanlik va past to'g'ridan-to'g'ri o'tkazuvchanlikka ega bo'lgan P tipidagi yarimo'tkazgich materiallaridan tayyorlanadi.N tipidagi dala effektli trubkasi va P tipidagi dala effektli trubkasi joriy boshqaruvni amalga oshirishi mumkin.

FET ning asosiy xususiyati shundaki, u yuqori chastotali va yuqori sezuvchanlik davrlari uchun mos bo'lgan yuqori oqimga ega bo'lib, past shovqin va past shovqinli shovqin xususiyatlariga ega.Bundan tashqari, kam quvvat iste'moli, past issiqlik tarqalishi, barqarorlik va ishonchlilik afzalliklariga ega va ideal oqim nazorat elementi hisoblanadi.

Fets oddiy triodlarga o'xshash tarzda ishlaydi, lekin yuqori oqimga ega.Uning ish sxemasi odatda uch qismga bo'linadi: manba, drenaj va nazorat.Manba va drenaj oqim yo'lini tashkil qiladi, boshqaruv qutbi esa oqim oqimini boshqaradi.Tekshirish qutbiga kuchlanish qo'llanilganda, oqim oqimini tartibga solish maqsadiga erishish uchun oqim oqimini nazorat qilish mumkin.

Amaliy ilovalarda Fets ko'pincha yuqori chastotali davrlarda, masalan, quvvat kuchaytirgichlari, filtri davrlari, kommutatsiya davrlari va boshqalarda qo'llaniladi. Masalan, quvvat kuchaytirgichlarida Fets kirish oqimini kuchaytira oladi va shu bilan chiqish quvvatini oshiradi;Filtr pallasida maydon effekti trubkasi kontaktlarning zanglashiga olib keladigan shovqinni filtrlashi mumkin.Kommutatsiya pallasida FET kommutatsiya funktsiyasini amalga oshirishi mumkin.

Umuman olganda, Fets muhim elektron komponent bo'lib, elektron sxemalarda keng qo'llaniladi.U yuqori oqim daromadi, kam quvvat iste'moli, barqarorlik va ishonchlilik xususiyatlariga ega va ideal oqim nazorat elementi hisoblanadi

Oldingi: L6205PD013TR 100% yangi va oʻziga xos integral mikrosxemalar, yuqori unumdorlikdagi soat buferi oilasi

Keyingisi: XCVU190-2FLGB2104I 100% yangi va original integral sxemasi yuqori unumli soatli bufer oilasi

Xabaringizni shu yerga yozing va bizga yuboring